Inovativní řadu výkonových FET tranzistorů s nitridem galia vyrábí Nexperia. GaN FET tranzistory FETse vyznačují zvýšenou hustotou a účinnějším využitím energie při malých rozměrech, čímž umožňují vývoj účinných systémů při nižších nákladech.

Externí anténa 2J0B24 pro LTE s montáží na konektor byla navržena tak, aby co nejlépe využila signál a dosáhla nepřetržitého připojení, lepší kvality signálu a spolehlivosti při současném zvýšení propustnosti dat.

Kromě nižší provozní hlučnosti a většího tlaku nabízí diagonální ventilátor DV6224/17P-00240 i PWM řízení otáček a alarm signál. V SOS electronic je k dispozici za ještě výhodnější cenu než je cena standardního ventilátoru.

Pulzní koherentní radarový senzor znamená průlom v technologii senzorů. Díky této technologii se dosáhne velmi vysokého rozlišení s velmi nízkou spotřebou energie menší než jeden miliwatt.