Větší displej, vyšší výkon a vyšší datová propustnosti v 5G chytrých telefonech si vyžaduje větší kapacitu baterie a rychlé nabíjení. Standardní metody nabíjení jsou neefektivní a kvůli vyššímu procházejícímu proudu, způsobeného rychlým nabíjením, může docházet k nepřiměřenému zahřívání. Programovatelné napájení (PPS) v USB-C PD 3.0 pomáhá zajistit efektivní řešení celého nabíjecího systému.

Až donedávna se diodové usměrňovače řešili dvěma způsoby: pomocí Schottkyho diod nebo pomocí diod s rychlým zotavením. Schottky diody nabízejí spínání s nízkými ztrátami a dobrou účinností, ale mají problém s teplotou. Diody s rychlým zotavením jsou stabilnější při vyšších teplotách, ale jsou méně účinné. Zatímco tranzistory SiGe jsou na trhu již několik let, diody SiGe přišli na trh teprve nedávno. Diody SiGe se vyznačují zejména vysokou tepelnou stabilitou.

V poslední době se rozšiřuje trh s produkty pro sledování aktiv, vzdálené měřící stanice a zařízení pro diagnostiku prostředí a hlášení alarmových stavů. Tyto zařízení mají společnou vlastnost, jsou napájeny z baterie. Proto je čím dál větší poptávka po dobíjecích zdrojích elektrické energie. Obvykle se používá elektrochemická Lithium Iontová baterie nebo elektrický dvouvrstvý kondenzátor (EDLC), často označovaný jako superkondenzátor.

Infineon rozšiřuje své portfolio EiceDRIVER. Jedná se o vysoko napěťové drivery polovičního můstku 0,7 A, 650 V v pouzdře DSO-8 a 2,5 A driver HS + LS v pouzdře DSO-16W.