IQE přední světový dodavatel kombinovaných polovodičů, waferů a pokročilých materiálových řešení, a X-FAB Silicon Foundries, přední výrobce čipů se zaměřením na analogové/smíšené signály oznámily dohodu o společném vývoji (JDA) za účelem vytvoření evropského řešení platformy zařízení GaN Power.
Počáteční dvouletý projekt počítá se spoluprací IQE a X-FAB na vývoji zařízení GaN s napětím 650 V. Dohoda využije odborné znalosti společnosti IQE v oblasti návrhu epitaxe GaN a procesů spolu s osvědčenými schopnostmi společnosti X-FAB v oblasti vývoje technologií a výroby zařízení, aby nabídla optimalizovanou kombinaci technologie a substrátu pro automobilový průmysl, datová centra a spotřebitelské aplikace. Cílem je nabídnout tuto technologii fabless výrobcům polovodičů a urychlit tak jejich inovační cykly a dobu uvedení na trh. Tato technologie bude také sloužit jako základ pro budoucí vývoj produktů v kategorii nad 650 V.
"Spojením našich dlouholetých odborných znalostí v oblasti výroby a designu zařízení GaN s vedoucím postavením společnosti IQE v oblasti epitaxe vytváříme jedinečnou platformu GaN Power na klíč," vysvětluje Jörg Doblaski, technologický ředitel společnosti X-FAB. "Kromě naší stávající technologie GaN poskytuje tato spolupráce přesvědčivou alternativu ke stávajícím modelům dodavatelského řetězce a posiluje pozici Evropy v technologii výkonových polovodičů nové generace."
